中国の研究者、２次元浮遊ゲートトランジスタメモリーで大きな進展

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【華社武漢９月２０日】中国湖北省武漢市の華中科技大学は１８日、同大材料成形・金型技術全国重点実験室の翟天佑（たく・てんゆう）教授のチームが２次元高性能浮遊ゲートトランジスタメモリーの研究で大きな進展を遂げ、辺接触特性を持つ新型の２次元浮遊ゲートトランジスタデバイスを開発したと発表した。
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Source: AFPBB News