2023
09.21

中国の研究者、2次元浮遊ゲートトランジスタメモリーで大きな進展

国際ニュースまとめ

【華社武漢9月20日】中国湖北省武漢市の華中科技大学は18日、同大材料成形・金型技術全国重点実験室の翟天佑(たく・てんゆう)教授のチームが2次元高性能浮遊ゲートトランジスタメモリーの研究で大きな進展を遂げ、辺接触特性を持つ新型の2次元浮遊ゲートトランジスタデバイスを開発したと発表した。
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Source: AFPBB News